다이오드(Diode)에 대하여......
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작성일 20-08-12 17:21
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◇ P형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 3가인 …(drop)
레포트/공학기술
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체, ■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential), ■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극), ■ 순방향 바이어스 (Forward bias), ■ 역방향 바이어스 (Backward bias), ■ 다이오드 순방향 property(특성) 실험, ■ 다이오드의 역방향 property(특성) 실험, ■ 제너 다이오드 (Zener Diode), ■ 제너 다이오드를 활용한 회로, ■ 반파정류 , ■ 전파정류, ■ 가산 증폭기 (Summing amplifier), ■ 차동 입력형 감산회로, , , 다운로드 : 123K
진성반도체,다이오드,도핑,감산회로,바이어스,공학기술,레포트
다이오드(Diode)에 대하여......
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다.
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체, ■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential), ■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극), ■ 순방향 바이어스 (Forward bias), ■ 역방향 바이어스 (Backward bias), ■ 다이오드 순방향 특성 실험, ■ 다이오드의 역방향 특성 실험, ■ 제너 다이오드 (Zener Diode), ■ 제너 다이오드를 활용한 회로, ■ 반파정류 , ■ 전파정류, ■ 가산 증폭기 (Summing amplifier), ■ 차동 입력형 감산회로, , , FileSize : 123K , 다이오드(Diode)에 대하여......공학기술레포트 , 진성반도체 다이오드 도핑 감산회로 바이어스
설명
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias)
■ 역방향 바이어스 (Backward bias)
■ 다이오드 순방향 特性(특성) 實驗(실험)
■ 다이오드의 역방향 特性(특성) 實驗(실험)
■ 제너 다이오드 (Zener Diode)
■ 제너 다이오드를 활용한 회로
■ 반파정류
■ 전파정류
■ 가산 증폭기 (Summing amplifier)
■ 차동 입력형 감산회로
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체 진성 반도체 : 불순물이 전혀 들어 있지 않은 순수한 반도체 불순물 반도체 : N형 반도체 , P형 반도체 ¤ 도핑(Doping) : 반도체에 불순물을 첨가하는 것 ¤ ◇ N형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 5가인 불순물 인(P), 비소(As),안티몬(Sb) 등을 넣은 반도체. 이 N형 반도체에서는 전자가 다수운반자(majority carrier)이며 정공이 소수운반자(minority carrier)이다. 그리고 5가의 불순물 원소를 도우너(donor)라 하는데, 이는 전자를 준다는 의미이다.
