[전자회로 실험] 직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험
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작성일 20-10-17 18:20
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Download : 실험3직렬및병렬다이오드회로.doc
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2)직렬구성
a.단계 1의 결과와 측정(measurement)된 저항을 이용하여 Vo와 ID의 이론치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
d.단계 1의 결과와 R1과 R2에 대한 측정(measurement)된 저항값을 이용하여 Vo와 ID의 이론치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
Download : 실험3직렬및병렬다이오드회로.doc( 55 )
a.아래 그림의 회로를 구성하라. R값을 측정(measurement)하여 기록하라.
다. [이용대상]
레포트 > 공학,기술계열
b.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정(measurement)하라. 측정(measurement)된 값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 b의 결과와 비교하라.
2. test(실험) 절차
[전자회로 실험] 직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험
d.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정(measurement)하라. 측정(measurement)치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 e의 결과와 비교하라.
cad 회로도 캡쳐되어 있기 때문에 바로 출력해서 내도 손색이 없습니다. cad 회로도 캡쳐되어 있기 때문에 바로 출력해서 내도 손색이 없습니다. [이용대상]
f.순서 g의 상태에서 VD, VO를 측정(measurement)하라. 측정(measurement)치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라.
1)문턱 전압 Si, Ge 다이오드에 관련되어 DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사 능력을 이용하여 문턱전압을 측정(measurement)하라. test(실험) 에서 구한 “문턱전압”은 다이오드에 대해 등가의 특성을 세울 수 있다아 각 다이오드에 대한 구해진 의 값을 기록하라. 만약 다이오드 검사능력 혹은 곡선 추적기가 이용될 수 없다면 Si에 관련되어 =0.7V, Ge에 관련되어 =0.3V으로 가정하라.
c.다음 그림의 회로를 구성하라. 각 저항에 대한 측정(measurement)치를 기록하라.
설명
순서
e.그림 3-4의 Si다이오드의 방향을 반대로하고 VD, VO, ID의 이론치를 계산하라.
사전지식부터 analysis, 또한 실험결과까지 잘 정리(arrangement)되어 있는 레포트(report) 입니다.
사전지식부터 분석, 또한 실험결과까지 잘 정리되어 있는 레포트 입니다.
